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MMUN2231LT1G中文资料

MMUN2231LT1G图片

MMUN2231LT1G外观图

  • 大小:139.2KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Transistor; Transistor Type:Small Signal Digital (BRT); Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:50V; Continuous Collector Current, Ic:0.1A; Base Input Resistor, R1:2200ohm; Base-Emitter Resistor, R2:2200ohm ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧):2.2k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧):2.2k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):8 @ 5mA,10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 5mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):500nA
  • 频率 - 转换:-
  • 功率 - 最大:246mW
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMUN2231LT1G-NDMMUN2231LT1GOSTR

MMUN2231LT1G供应商

更新时间:2023-01-08 19:35:29
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